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BAW56Q与MP2225GJ-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-28 预览:640

BAW56Q与MP2225GJ-Z升降压芯片的特性

智能手机芯片厂商之所以如此积极采用10纳米工艺,有着技术上的迫切需求。一般而言,不同的芯片制程工艺将导致芯片性能变化,制程越小,单位面积上可以集成的芯片越多,芯片性能将提升,同样更小的芯片制程也意味着功耗的降低。

由于智能手机对能耗以及尺寸上的苛求,是否具备低功耗,甚至超低功耗设计技术和能力将决定产品能否在移动设备中得到应用。而先进工艺是降低产品功耗、缩小尺寸的重要手段。让高端芯片更轻薄省电,将有助于提升手机厂商的产品均价与竞争力。

一、BAW56Q升降压芯片的特性

• 小讯号开关二极管

• VRM 100 V

• VRRM VRWM VR /75 V

• VR(RMS)53V

• IFM 300 mA

• FSM  @ t = 1.0µs  2.0A @ t = 1.0s  1.0A 

二、MP2225GJ-Z升降压芯片的特性

MP2225 是一款内置功率 MOSFET 的高效同步整流降压开关转换器。它提供了非常紧凑的解决方案,在宽输入范围内可实现高达 5A 的输出电流,具有极好的负载和线性调节性能。 采用同步工作模式,在全负载范围内实现更高效率。电流控制模式提供了快速瞬态响应,并使环路更易稳定。全方位保护包括过流保护和过温保护。