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BSP75NTA与MP2456GJ-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-25 预览:544

BSP75NTA与MP2456GJ-Z升降压芯片的特性

亟需进一步制定新规划,推动未来全市集成电路产业再次实现从量变到质变的突破。“力争通过5年左右的努力,将集成电路打造成为继新型显示产业后,又一个提升合肥竞争力的核心产业。”市发改委的负责人表示。

规划建议合肥积极融入国家集成电路发展战略,力争经过新一轮的发展,将合肥打造成为中国集成电路集聚区、世界集成电路产业转移承接区。

合肥市发改委的负责人介绍,为实现规划将采取分步走策略,前三年成立产业基金、深耕制造/设计/封测/材料装备产业方向,连点成线形成重点突破;后两年产业协同发展,连线成面形成布局。

一、BSP75NTA升降压芯片的特性

• 60V自保低压智能MOSFET开关

• 连续漏源极电压:VDS=60V

• 状态阻力:500米Ω

• 最大额定负载电流(VIN=5V):1.1A

• 最小额定负载电流(VIN=5V):0.7A

• 夹紧能量:550m

二、MP2456GJ-Z升降压芯片的特性

0.5A, 50V, 1.2MHz 降压变换器,采用 TSOT23-6 封装。