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DUP2105SOQ与MP2012DQ-LF-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-28 预览:634

DUP2105SOQ与MP2012DQ-LF-Z升降压芯片的特性

截止2014年,全球300mm硅片实际出片量已占各种硅片出片量的65%左右,平均约450万片/月。2015年第1~第2季度每月平均需求量约500万片。目前,12英寸硅片主要用于生产90nm-28nm及以下特征尺寸(16nm和14nm)的存储器、数字电路芯片及混合信号电路芯片。

一、DUP2105SOQ升降压芯片的特性

• 双线CAN总线保护器

• VBR (Min)   26.2V  IPP (Max)  8A     IR (Max) 100nA

二、MP2012DQ-LF-Z升降压芯片的特性

MP2012是一款具有内部补偿功能的全集成1.2MHz固定频率PWM降压变换器。其输入电压范围为2.7V至6V,是采用单节锂离子(Li +)电池供电的便携式设备理想之选。MP2012可提供高达1.5A的负载电流,输出电压低至0.8V。对低压差应用,可以以100%占空比工作。MP2012具有峰值电流控制模式和内部补偿功能,采用陶瓷电容器和小型电感器可稳定工作。